在2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布其第五代DRAM技术平台（G5平台）开始量产。会议上展出了两款全新LPDDR5X产品，单颗容量达到24GB，相较于前一代产品提升了50%。这两款产品分别采用496Ball和245Ball封装，适用于中高端智能手机及便携式电子产品，现已进入大规模生产阶段。

该G5平台的工艺水平达到了业内顶尖 standards，标志着长鑫存储在高端存储领域的重大突破，为全球存储产业提供创新、韧性的解决方案。G5平台在关键工艺上实现了多项行业领先的技术创新，运用四重曝光技术将内存阵列的有源区微缩至11.95纳米，接近全球最先进的生产工艺。此外，新材料的应用使存储电容的深宽比达到45:1。该平台还开发了高介电常数金属栅工艺，成功将核心功能区缩小至6762纳米。

在研发过程中，长鑫存储创造了一套独特的数字孪生系统，贯穿产品的设计、开发到制造和维护的全过程，以此加速研发进程。同时，该公司在界面工程、鞍形鳍结构和低k间隔层等关键领域取得了重要突破。长鑫存储表示，G5工艺的突破使每片晶圆的产出数量相比于第四代平台提升了至少50%，在能效和成本控制上具显著优势。 龙8头号玩家

长鑫存储计划持续推进技术创新，以适应全球市场需求，推出更高性能、可靠性的存储产品，支持全球数字产业的发展。作为一家成立于2016年的一体化存储器制造公司，长鑫存储专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，总部位于安徽合肥，并在国内外设有多个研发中心。其技术团队具备丰富的研发经验，已推出多款DRAM产品，广泛应用于移动设备、计算机、服务器及物联网等领域。长鑫存储为长鑫科技集团的全资子公司。根据长鑫科技于8月28日发布的2026年半年报，营收达到1503.1亿元，同比增长873.64%，归属于上市公司股东的净利润为776.05亿元，前一年同期则亏损23.3亿元。